TSMC, produsen kontrak produk semikonduktor terbesar, menurut sumber tersebut, telah memulai pembangunan kompleks produksi yang rencananya akan menguasai proses teknis 2 nanometer. Kompleks ini mencakup pusat R&D dan fasilitas produksi. Fasilitas baru akan berlokasi di dekat kantor pusat perusahaan di Hsinchu Science Park, Taiwan.
Menurut data awal, teknologi Gate-All-Around (GAA) akan digunakan dalam proses 2 nanometer. Pada saat yang sama, pabrikan mulai merencanakan pengembangan proses teknis 1 nanometer.
Seiring dengan teknologi produksi kristal, perusahaan meningkatkan teknologi pengemasan mereka. Ia berencana untuk mempercepat adopsi teknologi pengemasan canggih seperti SoIC, InFO, CoWoS dan WoW. Semuanya diklasifikasikan oleh TSMC sebagai Fabric 3D, meskipun beberapa di antaranya mengacu pada 2.5D. Teknologi ini akan dimasukkan ke dalam produksi massal di jalur ZhuNan dan NanKe pada paruh kedua tahun 2021.
Baca juga: