Samsung hari ini mengumumkan dimulainya produksi massal dari apa yang diyakini sebagai memori 236D NAND 8 lapis, yang oleh perusahaan disebut sebagai V-NAND generasi ke-2400. Chip baru ini memiliki kecepatan transfer data 12 Mbit/s, dan dalam kombinasi dengan pengontrol yang ditingkatkan, chip tersebut memungkinkan pembuatan solid-state drive kelas klien dengan kecepatan transfer data lebih dari XNUMX Gbit/dtk.
Perangkat V-NAND generasi ke-8 yang baru memiliki kapasitas 1 TB (128 GB), yang Samsung mengklaim kepadatan bit tertinggi di industri tanpa mengungkapkan ukuran chip atau kepadatan sebenarnya. Chip ini juga memiliki kecepatan transfer data 2400 Mbps, yang sangat penting untuk solid state drive PCIe 5.0 x4 terbaik, yang bila dipasangkan dengan pengontrol yang sesuai memberikan kecepatan transfer data secepat kilat 12,4 Gbps (atau lebih!).
Samsung mengklaim bahwa generasi baru memori 3D NAND akan memberikan kinerja 20% lebih tinggi per wafer dibandingkan dengan antarmuka flash yang ada dengan kapasitas yang sama, yang akan menurunkan biaya perusahaan (dengan asumsi kinerja yang sama), yang berpotensi berarti harga yang lebih rendah untuk solid-state drive.
Sementara itu, perusahaan tidak mengatakan apa-apa tentang arsitektur perangkat, tetapi berdasarkan gambar yang disediakan, kita dapat mengasumsikan bahwa itu adalah chip NAND 3D dua bidang.
"Seiring permintaan pasar akan hard disk penyimpanan berkapasitas lebih tinggi dan lebih padat meningkatkan jumlah lapisan V-NAND, Samsung menerapkan teknologi penskalaan 3D canggihnya untuk mengurangi luas permukaan dan ketinggian sambil menghindari interferensi sel-ke-sel yang biasanya terjadi saat penskalaan, kata SongHoi Hur, wakil presiden eksekutif Samsung Elektronik pada memori flash dan teknologi. "V-NAND generasi kedelapan kami akan membantu memenuhi permintaan pasar yang berkembang pesat dan memposisikan kami dengan lebih baik untuk menghadirkan produk dan solusi yang lebih berbeda yang akan mendukung inovasi penyimpanan di masa depan."
Samsung belum mengumumkan produk aktual apa pun berdasarkan memori V-NAND generasi ke-8, tetapi kita dapat berasumsi bahwa perangkat pertama akan difokuskan pada aplikasi klien.
Anda dapat membantu Ukraina melawan penjajah Rusia. Cara terbaik untuk melakukannya adalah dengan menyumbangkan dana ke Angkatan Bersenjata Ukraina melalui selamatkan hidup atau melalui halaman resmi NBU.
Baca juga: