Diharapkan bahwa Samsung akan mengumumkan dimulainya produksi massal chip 3nm minggu depan, lapor Yonhap News. Ini menempatkan perusahaan di depan TSMC, yang diharapkan untuk memulai produksi chip 3nm pada paruh kedua tahun ini.
Dibandingkan dengan proses 5nm (yang digunakan untuk Snapdragon 888 dan Exynos 2100), node 3nm Samsung akan mengurangi area sebesar 35%, meningkatkan kinerja sebesar 30%, dan mengurangi konsumsi daya hingga 50%.
Ini akan dicapai dengan beralih ke desain transistor Gate-All-Around (GAA). Ini adalah langkah berikutnya setelah FinFET, karena memungkinkan ukuran transistor dikurangi tanpa mengurangi kemampuannya untuk menghantarkan arus. Desain GAAFET yang digunakan pada node 3nm ditunjukkan pada gambar di bawah ini.
Presiden AS Joe Biden mengunjungi pabrik itu bulan lalu Samsung di Pyeongtaek untuk ambil bagian dalam demonstrasi teknologi 3nm Samsung. Tahun lalu, ada desas-desus bahwa perusahaan mungkin menginvestasikan $ 10 miliar untuk membangun pengecoran 3nm di Texas. Investasi ini telah tumbuh menjadi $ 17 miliar dan diharapkan mulai beroperasi pada 2024.
Bagaimanapun, perhatian terbesar saat membuat node baru adalah output. Pada bulan Oktober tahun lalu Samsung menyatakan bahwa kinerja proses 3nm "mendekati level yang sama dengan proses 4nm". Meskipun perusahaan belum menyajikan angka resmi, analis percaya bahwa simpul 4 nm Samsung dikaitkan dengan masalah output produksi.
Sebuah node 3nm generasi kedua diharapkan pada tahun 2023, dan roadmap perusahaan juga mencakup node berbasis MBCFET 2nm pada tahun 2025.
Anda dapat membantu Ukraina melawan penjajah Rusia. Cara terbaik untuk melakukannya adalah dengan menyumbangkan dana ke Angkatan Bersenjata Ukraina melalui selamatkan hidup atau melalui halaman resmi NBU.
Baca juga:
- Tinjauan Samsung Galaxy S21 FE 5G: sekarang pasti menjadi andalan penggemar
- Tinjauan Samsung Galaxy Tab S7 FE: Kompromi yang sangat cerdas