Samsung Elektronik memperkenalkan chip memori 12nm DDR5 DRAM 32Gb yang paling luas di industri, yang menurutnya cocok untuk era kecerdasan buatan. Sebelumnya, perusahaan hanya dapat memproduksi chip 32 Gbit dengan TSV yang memasang kristal 16 Gbit satu di atas yang lain. Pelepasan chip DDR32 5 Gb "satu bagian" dalam paket yang sama dengan chip 16 Gb akan mengurangi konsumsi dan membuka jalan menuju modul memori 1 TB yang menjanjikan.
Menurut perkiraan Samsung, chip DDR5 dengan kapasitas dua kali lipat akan memberikan konsumsi 10% lebih rendah dibandingkan modul DDR128 5 GB. Menariknya, perusahaan mengumumkan dimulainya produksi DRAM DDR12 16 nm 5 Gbit baru-baru ini - pada bulan Mei tahun ini. Pengumuman saat ini tidak berarti peluncuran segera produksi massal chip 32 Gbit. Perusahaan berjanji akan memulai produksinya baru pada akhir tahun ini. Meningkatkan kapasitas chip yang dipasok secara serial hingga 32 Gbit akan memungkinkan produsen memori beralih ke pelepasan modul DDR5 massal dengan volume 64 GB dan model server hingga 1 TB.
“Dengan menciptakan DRAM kelas 12nm 32Gb, kami telah menyediakan solusi yang memungkinkan produksi modul DRAM hingga 1TB, yang memberi kami peluang sempurna untuk memenuhi permintaan DRAM berkapasitas tinggi yang terus meningkat di era kecerdasan buatan dan teknologi besar. data," kata Sun. Jun Hwang, wakil presiden eksekutif divisi Produk & Teknologi DRAM perusahaan Samsung Elektronik. “Kami akan terus mengembangkan solusi DRAM berdasarkan proses manufaktur dan teknologi desain yang berbeda untuk mendorong batas-batas teknologi memori.”
Saat ini, produsen memori seperti SK hynix dan Micron hanya menawarkan chip DDR24 5Gb, yang memungkinkan modul massal hingga 96GB, tetapi Samsung meningkatkan kapasitas, menawarkan solusi ketiga yang lebih padat. Namun, Micron juga telah mengonfirmasi pengerjaan chip DDR5 32Gb dalam peta jalannya, meski belum diumumkan secara resmi.
Untuk ceritanya Samsung memperluas batas RAM sebanyak 500 kali. Perusahaan memperkenalkan memori pertamanya (64 Kbit) pada tahun 1983. Selama 40 tahun terakhir, ia telah meningkatkan kapasitas sirkuit mikro berkali-kali lipat, yang pada saat itu hanya terpikirkan oleh sedikit orang.
Baca juga:
- SK hynix telah mengembangkan memori tercepat di dunia – HBM3E dengan kecepatan 1,15 TB/s
- Huawei sedang membangun jaringan rahasia pabrik chip di bawah sanksi